Black Baron

Полупроводниковая индустрия переживает очередной технологический прорыв. В рамках симпозиума VLSI 2025 компания Intel представила подробности своего амбициозного проекта — техпроцесса Intel 18A, который призван вернуть американскому гиганту позиции в гонке за самые передовые производственные технологии. Этот шаг особенно важен в контексте растущей конкуренции с тайваньской TSMC, которая в последние годы доминирует на рынке производства самых современных чипов.

Диаграмма эффективности Intel 18A

Технические характеристики и преимущества

Новый техпроцесс Intel 18A, эквивалентный 1,8-нанометровому техпроцессу, демонстрирует значительный прогресс по сравнению с предыдущим поколением Intel 3. Главные достижения включают:

Повышение плотности размещения элементов на 30% — это означает, что на том же кристалле можно разместить больше транзисторов, что напрямую влияет на производительность и функциональность чипов.

Рост производительности до 25% без увеличения рабочего напряжения — критически важная характеристика для современных высокопроизводительных систем.

Снижение энергопотребления на 36% при работе на частотах с напряжением 1,1 В по сравнению с Intel 3, что особенно актуально для мобильных устройств и энергоэффективных решений.

Инновационные технологии

Техпроцесс Intel 18A построен на двух ключевых технологических решениях:

Транзисторы RibbonFET второго поколения — это gate-all-around (GAA) транзисторы, которые обеспечивают лучший контроль над прохождением тока и снижают утечки.

Технология PowerVia (BSPDN) — революционная система подачи питания, которая перемещает силовые цепи на обратную сторону кристалла. Это решение впервые применяется в массовом производстве и предоставляет несколько преимуществ:

• Физическое разделение силовых и сигнальных проводников
• Улучшенная эффективность транзисторов
• Более плотная компоновка логических элементов
• Оптимизированный теплоотвод
• Упрощение процесса проектирования микросхем

 Cравнение двух технологий Intel-3 и Intel-18A

Области применения и перспективы

Intel 18A разработан как универсальная платформа для широкого спектра применений — от высокопроизводительных серверных решений для дата-центров до потребительских процессоров линейки Panther Lake, анонс которых ожидается в конце текущего года.

Однако существуют определенные технические особенности, которые необходимо учитывать. Изменение диапазона рабочих напряжений (0,4 В, 0,75 В и 1,1 В против <0,6 В, 0,75 В, 1,1 В и 1,3 В у Intel 3) может повлиять на применимость технологии в различных сегментах рынка.

Рыночная стратегия

Intel активно работает над привлечением сторонних заказчиков для производства на базе технологии 18A. Уже достигнуто соглашение с Microsoft по выпуску продукции на новом технологическом узле, а другие крупные компании рассматривают возможности сотрудничества.

Массовое производство на базе Intel 18A планируется запустить во второй половине 2025 года, что совпадает с аналогичными планами TSMC для их 2-нанометрового процесса.

Intel-18A PMOS и Cross-sectional SLM

Представление техпроцесса Intel 18A знаменует важный этап в стратегии Intel по возвращению технологического лидерства. Впервые за долгое время американская компания предлагает решение, способное конкурировать с самыми передовыми разработками TSMC. Успех этой технологии будет во многом зависеть от способности Intel привлечь крупных заказчиков и обеспечить стабильное массовое производство.

Технологические новации, такие как PowerVia и усовершенствованные GAA-транзисторы, могут стать основой для следующего поколения высокопроизводительных вычислительных систем. В контексте глобальной конкуренции и стремления к технологической независимости, появление конкурентоспособной альтернативы азиатским производителям имеет стратегическое значение для всей отрасли.

Таблица_сравнения_Intel_18A